机译:具有单步分离限制异质结构的低阈值拉伸应变InGaAs-InGaAsP量子阱激光器
机译:低阈值应变补偿的IngaAs /(In,AI)GaAs多量子孔纳米线激光器在室温下发射接近1.3μm
机译:脉冲阳极氧化制备的InGaAsN应变补偿量子阱和脊形波导激光器中带间跃迁能量的温度依赖性
机译:高性能应变补偿InGaAsN量子阱脊波导激光器
机译:1.55微米应变和应变补偿多量子阱单频激光器的设计,分析和制造技术。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:高性能应变补偿InGaas-Gaasp-Gaas(λ=1.17μm)量子阱二极管激光器
机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)